SPD50N03S2-07、SPD50N03S2-07G对比区别

高亮显示差异参数

型号 SPD50N03S2-07 SPD50N03S2-07G

描述 的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor的OptiMOS功率三极管特性增强模式的逻辑电平额定雪崩 OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3

封装 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.5 mm -

宽度 6.22 mm -

高度 2.3 mm -

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

额定电压(DC) 30.0 V -

额定电流 50.0 A -

通道数 1 -

漏源极电阻 7.3 mΩ -

极性 N-CH -

耗散功率 136 W -

输入电容 2.17 nF -

栅电荷 46.5 nC -

漏源极电压(Vds) 30 V -

漏源击穿电压 30 V -

连续漏极电流(Ids) 50.0 A -

上升时间 36 ns -

输入电容(Ciss) 2170pF @25V(Vds) -

下降时间 25 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -

耗散功率(Max) 136W (Tc) -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -