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IXTA56N15T、IXTP56N15T对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTA56N15T IXTP56N15T

描述 TO-263AA N-CH 150V 56ATO-220 N-CH 150V 56A

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole

封装 TO-263-3 TO-220-3

极性 N-CH N-CH

耗散功率 300W (Tc) 300W (Tc)

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V

连续漏极电流(Ids) 56A 56A

输入电容(Ciss) 2250pF @25V(Vds) 2250pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc)

额定功率(Max) - 300 W

封装 TO-263-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free