FDS6672A、FDS8876对比区别

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型号 FDS6672A FDS8876

描述 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFETN沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFET

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V

额定电流 12.5 A 12.5 A

漏源极电阻 6.80 mΩ 6.8 mΩ

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W

输入电容 5.07 nF 1.65 nF

栅电荷 33.0 nC 28.0 nC

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30 V

栅源击穿电压 ±12.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 12.5 A 12.5 A

上升时间 18 ns 34 ns

输入电容(Ciss) 5070pF @15V(Vds) 1650pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 2.5 W

下降时间 28 ns 19 ns

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

通道数 - 1

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

封装 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 4.9 mm

宽度 - 3.9 mm

高度 - 1.75 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99