IRGS4062DTRLPBF、IRGSL4062DPBF、IKB20N60H3对比区别

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型号 IRGS4062DTRLPBF IRGSL4062DPBF IKB20N60H3

描述 IGBT Transistors IGBT DISCRETESTrans IGBT Chip N-CH 600V 48A 25000mW 3Pin(3+Tab) TO-262 TubeIGBT 晶体管 600v Hi-Speed SW IGBT

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-263-3 TO-262-3 TO-263-3

额定功率 - 250 W 170 W

耗散功率 - 25000 mW 170 W

击穿电压(集电极-发射极) - 600 V -

反向恢复时间 - 89 ns -

额定功率(Max) - 250 W -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 250000 mW 25000 mW -

封装 TO-263-3 TO-262-3 TO-263-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -