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MAP6KE27AE3、MAP6KE27ATRE3、MAP6KE27A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MAP6KE27AE3 MAP6KE27ATRE3 MAP6KE27A

描述 23.1V 600WTrans Voltage Suppressor Diode, 600W, 23.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PIN23.1V 600W

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

封装 T-18 - T-18

最大反向电压(Vrrm) 23.1V - 23.1V

脉冲峰值功率 600 W - 600 W

最小反向击穿电压 25.7 V - 25.7 V

封装 T-18 - T-18

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) - -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free - Contains Lead