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PDTA115ET,215、PDTA115TU对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PDTA115ET,215 PDTA115TU

描述 Nexperia PDTA115ET,215 PNP 数字晶体管, 0.02 A, Vce=50 V, 100 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装低VCEsat晶体管( BISS )晶体管 Low VCEsat (BISS) transistors

数据手册 --

制造商 Nexperia (安世) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23-3 SC-70

引脚数 3 -

极性 - PNP

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 - 100mA

针脚数 - -

耗散功率 250 mW -

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 5V -

额定功率(Max) 250 mW -

直流电流增益(hFE) - -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -

耗散功率(Max) 250 mW -

最大电流放大倍数(hFE) 80 -

封装 SOT-23-3 SC-70

高度 1 mm -

长度 3 mm -

宽度 1.4 mm -

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 - -

REACH SVHC版本 - -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 EAR99 -