BZD27C11P-E3-08、BZD27C11P-E3-18对比区别

高亮显示差异参数

型号 BZD27C11P-E3-08 BZD27C11P-E3-18

描述 VISHAY BZD27C11P-E3-08 Zener Single Diode, 11V, 800mW, DO-219AB, 2Pins, 150℃Diode Zener Single 11V 5% 800mW 2Pin SMF T/R

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 -

封装 DO-219AB DO-219AB

击穿电压 11.0 V 11.0 V

正向电压 1.2V @200mA 1.2V @200mA

耗散功率 800 mW -

测试电流 50 mA -

稳压值 11 V 11 V

额定功率(Max) 800 mW 800 mW

工作温度(Max) 150 ℃ -

耗散功率(Max) 800 mW -

封装 DO-219AB DO-219AB

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free