IS42S32200L-7TL、IS42S32200L-7TL-TR、IS42S32200E-7TL对比区别

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型号 IS42S32200L-7TL IS42S32200L-7TL-TR IS42S32200E-7TL

描述 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143MHz, 86Pin TSOP II (400 mil) RoHS64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143MHz, 86Pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R动态 RAM， ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。 可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 86 86 86

封装 TSOP-86 TSOP-86 TSOP-86

供电电流 90 mA 90 mA 140 mA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

时钟频率 143 MHz - -

位数 32 32 -

存取时间 5.4 ns 5.4 ns -

存取时间(Max) 8ns, 5.4ns 8ns, 5.4ns -

电源电压(Max) - 3.6 V -

电源电压(Min) - 3 V -

长度 - - 22.42 mm

宽度 - - 10.29 mm

高度 - - 1.05 mm

封装 TSOP-86 TSOP-86 TSOP-86

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Design

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅

ECCN代码 EAR99 EAR99 -