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JAN1N6476、JANTX1N6476、JANTXV1N6476对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N6476 JANTX1N6476 JANTXV1N6476

描述 ESD 抑制器/TVS 二极管 T DAP UNI 1500W 51.6VTVS Diodes - Transient Voltage Suppressors T DAP UNI 1500W 51.6VDiode TVS Single Uni-Dir 51.6V 1.5kW 2Pin Case G

数据手册 ---

制造商 Semtech Corporation Semtech Corporation Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 Axial Axial G

额定功率 1500 W 1500 W -

击穿电压 54 V 54 V -

钳位电压 78.5 V 78.5 V 78.5 V

测试电流 1 mA 1 mA 1 mA

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

工作结温 -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ -

最小反向击穿电压 - - 54 V

击穿电压 - - 54 V

封装 Axial Axial G

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - - Bag

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)