ISL55190IBZ、MCP661-E/SN、ISL55190IBZ-T13对比区别

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型号 ISL55190IBZ MCP661-E/SN ISL55190IBZ-T13

描述 单路和双路超低噪音，超低失真，低功耗运算放大器 Single and Dual Ultra-Low Noise, Ultra-Low Distortion, Low Power Op AmpMICROCHIP  MCP661-E/SN  运算放大器, 单路, AEC-Q100, 60 MHz, 1个放大器, 32 V/µs, 2.5V 至 5.5V, SOIC, 8 引脚单路和双路超低噪音，超低失真，低功耗运算放大器 Single and Dual Ultra-Low Noise, Ultra-Low Distortion, Low Power Op Amp

数据手册 ---

制造商 Intersil (英特矽尔) Microchip (微芯) Intersil (英特矽尔)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

引脚数 - 8 -

供电电流 30 mA 6 mA 30 mA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

增益频宽积 800 MHz 60 MHz 800 MHz

过温保护 No - No

输入补偿电压 300 µV 1.8 mV 300 µV

输入偏置电流 25 µA 6 pA 25 µA

增益带宽 800 MHz 60 MHz -

电源电压(DC) - 2.50V (min) -

工作电压 - 2.5V ~ 5.5V -

输出电流 - 150 mA -

针脚数 - 8 -

共模抑制比 - 81 dB -

静态电流 - 9 mA -

输入补偿漂移 - 2.00 µV/K -

带宽 - 60 MHz -

转换速率 - 32.0 V/μs -

工作温度(Max) - 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ 40 ℃

共模抑制比(Min) - 64 dB -

电源电压 - 2.5V ~ 5.5V -

电源电压(Max) - - 5 V

电源电压(Min) - - 3 V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 4.9 mm 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.5 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -