IS42VM16800E-75BLI、IS42VM16800H-75BLI、W987D6HBGX6E对比区别

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型号 IS42VM16800E-75BLI IS42VM16800H-75BLI W987D6HBGX6E

描述 IC SDRAM 128Mbit 133MHz 54BGA128m, 1.8V, Mobile Sdram, 8mx16, 133MHz, 54 Ball Bga (8mmx8mm) Rohs, ItDRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 128Mbit 8Mx16 1.8V 54Pin VFBGA

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Winbond Electronics (华邦电子股份)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

引脚数 54 54 54

封装 TFBGA-54 TFBGA-54 TFBGA-54

安装方式 - Surface Mount -

位数 16 16 16

存取时间(Max) 8ns, 5.4ns 7.5 ns 6ns, 5.4ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -25 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V

供电电流 - 55 mA -

存取时间 - 6 ns -

封装 TFBGA-54 TFBGA-54 TFBGA-54

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -25℃ ~ 85℃

产品生命周期 Obsolete Active Not For New Designs

包装方式 - - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

ECCN代码 - EAR99 EAR99