锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BZX85C82-TAP、BZX85C82-TR、BZX85C82GP对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZX85C82-TAP BZX85C82-TR BZX85C82GP

描述 Diode Zener Single 82V 6% 1.3W 2Pin DO-41 Ammo齐纳二极管 1.3W,BZX85 系列,Vishay Semiconductor硅平面齐纳二极管(电源) 适用于稳定和削波电路的应用,带有高额定功率 ### 齐纳二极管,Vishay SemiconductorDO-41 82V 1.3W

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Fagor Electronica (法格)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-41 DO-41 DO-41

耗散功率 1300 mW - 1.3 W

稳压值 82 V 82 V 82 V

容差 ±5 % ±5 % -

额定功率(Max) 1.3 W 1.3 W -

额定功率 1.3 W - -

测试电流 2.7 mA - -

耗散功率(Max) 1300 mW - -

封装 DO-41 DO-41 DO-41

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Ammo Pack Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ -