CY7C1041CV33-10ZSXA、CY7C1041G30-10ZSXI、IS61LV25616AL-10TLI对比区别

高亮显示差异参数

型号 CY7C1041CV33-10ZSXA CY7C1041G30-10ZSXI IS61LV25616AL-10TLI

描述 RAM 存储器，Cypress Semiconductor### SRAM（静态随机存取存储器）CY7C1041G 系列 4 Mb (256 K x 16) 3.6 V 表面贴装 静态 RAM - TSOP II-44RAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 44 44 44

封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44

针脚数 - 44 -

位数 16 16 16

存取时间 10 ns 10 ns 10 ns

存取时间(Max) 10 ns 10 ns 10 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 2.2V ~ 3.6V 3.135V ~ 3.6V

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) - 3.30 V, 3.60 V (max)

工作电压 - - 3.3 V

内存容量 - - 4000000 B

电源电压(Max) - - 3.6 V

电源电压(Min) - - 3.135 V

供电电流 100 mA - -

时钟频率 1 MHz - -

封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44

长度 18.52 mm - 18.52 mm

宽度 10.262 mm - 10.29 mm

高度 1.044 mm - 1.05 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free PB free

ECCN代码 - 3A991.b.2.a EAR99

香港进出口证 - - NLR