IRFAE50、IRFAE50PBF、D2-1-8对比区别

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型号 IRFAE50 IRFAE50PBF D2-1-8

描述 TO-3 N-CH 800V 7.1ATO-3 N-CH 800V 7.1APower Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SHD-5, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Sensitron Semiconductor

分类 MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-204 TO-3 -

极性 N-CH N-CH -

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V -

连续漏极电流(Ids) 7.1A 7.1A -

上升时间 68 ns - -

下降时间 24 ns - -

封装 TO-204 TO-3 -

产品生命周期 Active Active Active

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -