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IS42S32160B-6TLI、IS42S32160B-7TLI、IS42S32160F-6TLI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S32160B-6TLI IS42S32160B-7TLI IS42S32160F-6TLI

描述 动态随机存取存储器 512M (16Mx32) 166MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143MHz, 86Pin TSOP II, RoHS, IT动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II, RoHS, IT

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 86 86

封装 TSOP-86 TSOP-86 TSOP-86

供电电流 - 150 mA -

位数 - 32 32

存取时间 6 ns 6.5 ns 5.4 ns

存取时间(Max) - 6.5ns, 5.4ns 6ns, 5.4ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) - 3.6 V -

电源电压(Min) - 3 V -

高度 - 1.05 mm -

封装 TSOP-86 TSOP-86 TSOP-86

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tray Tray Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅