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IL222AT、MOC223R1M、MOC223M对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IL222AT MOC223R1M MOC223M

描述 光电耦合器,光电复合输出,低输入电流,高增益,与基地连接 Optocoupler, Photodarlington Output, Low Input Current, High Gain, with Base Connection晶体管输出光电耦合器 8pin Optocoupler PhotodarlingtonFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MOC223M  光耦合器,SMD

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 光耦合器/光隔离器光耦合器/光隔离器光耦合器/光隔离器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

通道数 1 1 1

正向电压 1 V 1.08 V 1.08 V

耗散功率 0.24 W 250 mW 250 mW

隔离电压 4000 Vrms 2500 Vrms 2500 Vrms

正向电流 60 mA 60 mA 60 mA

输出电压(Max) 30 V 30 V 30 V

击穿电压 6 V 6 V 6 V

正向电压(Max) 1.5 V 1.3 V 1.3 V

正向电流(Max) 60 mA 60 mA 60 mA

工作温度(Max) 100 ℃ 100 ℃ 100 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 240 mW 250 mW 250 mW

上升/下降时间 - 1µs, 2µs 8µs, 110µs

输入电压(DC) - 1.05 V 1.05 V

输出电压 - ≤30.0 V 30.0 V

电路数 - 1 1

针脚数 - - 8

输入电流 - - 1.00 mA

上升时间 - 8 µs 8 µs

输入电流(Min) - - 60 mA

下降时间 - 110 µs 110 µs

击穿电压(集电极-发射极) - 30.0 V -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5.13 mm 5.13 mm

宽度 - 4.16 mm 4.16 mm

高度 - 3.43 mm 3.43 mm

工作温度 -55℃ ~ 100℃ -40℃ ~ 100℃ -40℃ ~ 100℃

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Box

产品生命周期 - Unknown Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99