BUT12、BUT12TU对比区别

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型号 BUT12 BUT12TU

描述 扩散硅功率晶体管 Silicon diffused power transistorsTrans GP BJT NPN 400V 8A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220 TO-220-3

极性 NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V

集电极最大允许电流 20A 8A

额定功率(Max) - 100 W

封装 TO-220 TO-220-3

工作温度 - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete

RoHS标准 -

含铅标准 - 无铅

ECCN代码 - EAR99