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KBU8DP、KBU8D-E4/51、KBU8D对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KBU8DP KBU8D-E4/51 KBU8D

描述 DIODE 8A, 200V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, KBU, 4Pin, Bridge Rectifier DiodeKBU8D 系列 200 V 300 A 通孔 单相 整流器 桥式 - KBU-4Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 200V V(RRM), Silicon, 23.50 X 5.7MM, 19.3MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4

数据手册 ---

制造商 Micro Commercial Components (美微科) Vishay Semiconductor (威世) Diotec Semiconductor

分类 二极管二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 4 4

封装 - SIP-4 -

额定电流 - 8.00 A -

正向电压 - 1V @8A 1 V

正向电流 - 8 A -

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 300 A 300 A

正向电压(Max) - 1 V -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -50 ℃ -50 ℃

负载电流 - - 8 A

反向恢复时间 - - 1500 ns

长度 - 23.7 mm -

宽度 - 7.1 mm -

高度 - 19.3 mm -

封装 - SIP-4 -

工作温度 - -50℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bulk Box

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 - - EAR99