SI5401DC-T1-E3、SI5461EDC-T1-E3、SI5441BDC-T1-E3对比区别

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型号 SI5401DC-T1-E3 SI5461EDC-T1-E3 SI5441BDC-T1-E3

描述 MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8MOSFET P-CH 20V 4.5A CHIPFETMOSFET, Power; P-Ch; VDSS -20V; RDS(ON) 0.036Ω; ID -4.4A; 1206-8 ChipFET; PD 1.3W

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 1206 1206 1206

漏源极电阻 - 0.045 Ω 0.036 Ω

极性 - P-Channel -

耗散功率 1.3W (Ta) 1.3 W 1.3 W

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V -

栅源击穿电压 - ±12.0 V -

连续漏极电流(Ids) - -6.20 A -

热阻 - 50℃/W (RθJA) -

下降时间 - 25 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta)

长度 - 3.1 mm 3.1 mm

高度 - 1.1 mm -

封装 1206 1206 1206

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free