MT47H256M8EB-25EIT:C、MT47H256M8EB-3:C、MT47H256M8EB-25E:C对比区别

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型号 MT47H256M8EB-25EIT:C MT47H256M8EB-3:C MT47H256M8EB-25E:C

描述 DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 9 X 11.5MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60DDR DRAM, 256MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, 9 X 11.5MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60DDR DRAM, 256MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 9 X 11.5MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 60 60

封装 FBGA FBGA FBGA-60

工作电压 1.80 V 1.80 V 1.80 V

供电电流 - - 130 mA

时钟频率 - - 400 MHz

位数 - 8 8

存取时间 - - 400 ps

存取时间(Max) - 0.45 ns 0.4 ns

工作温度(Max) - 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ 0 ℃

电源电压 - - 1.7V ~ 1.9V

封装 FBGA FBGA FBGA-60

工作温度 -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free PB free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99