1N5525CTR、JANTXV1N5525C-1、1N5525C对比区别

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型号 1N5525CTR JANTXV1N5525C-1 1N5525C

描述 DO-35 6.2V 0.5W(1/2W)无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW6.2V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-7

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Aeroflex (艾法斯)

分类 齐纳二极管

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 DO-35 DO-204AH -

耗散功率 500 mW - -

稳压值 6.2 V 6.2 V -

容差 - ±2 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

封装 DO-35 DO-204AH -

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

RoHS标准 - -

含铅标准 - -