STQ3N45K3-AP、STU3N45K3、STH180N10F3-2对比区别

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型号 STQ3N45K3-AP STU3N45K3 STH180N10F3-2

描述 N 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 4

封装 TO-92-3 TO-251-3 TO-263-3

针脚数 3 - 4

漏源极电阻 3.2 Ω 3.2 Ω 0.0039 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 27 W 315 W

阈值电压 3.75 V 3.75 V 2 V

漏源极电压(Vds) 450 V 450 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 0.6A 1.8A -

上升时间 5.4 ns - 97.1 ns

输入电容(Ciss) 150pF @25V(Vds) 150pF @25V(Vds) 6665pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W - 315 W

下降时间 22 ns - 6.9 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3W (Tc) 27W (Tc) 315W (Tc)

输入电容 - - 6665 pF

长度 4.95 mm 6.6 mm 15.8 mm

宽度 3.94 mm 2.4 mm 10.4 mm

高度 4.95 mm 6.9 mm 4.8 mm

封装 TO-92-3 TO-251-3 TO-263-3

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17