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APT50M50JVR、STE70NM50、SML50J77R3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT50M50JVR STE70NM50 SML50J77R3

描述 SOT-227 N-CH 500V 77ASTMICROELECTRONICS  STE70NM50  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 500 V, 45 mohm, 10 V, 4 VPower Field-Effect Transistor, 77A I(D), 500V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Screw Screw -

引脚数 4 4 -

封装 SOT-227 ISOTOP-4 -

额定电压(DC) 500 V 500 V -

额定电流 77.0 A 70.0 A -

极性 N-CH N-Channel -

耗散功率 700 W 600 W -

输入电容 19.6 nF - -

栅电荷 1.00 µC - -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V -

连续漏极电流(Ids) 77.0 A 30.0 A -

上升时间 20 ns 58 ns -

输入电容(Ciss) 16300pF @25V(Vds) 7500pF @25V(Vds) -

下降时间 12 ns 46 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 700000 mW 600W (Tc) -

额定功率 - 600 W -

针脚数 - 4 -

漏源极电阻 - 45 mΩ -

阈值电压 - 4 V -

漏源击穿电压 - 500 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

额定功率(Max) - 600 W -

封装 SOT-227 ISOTOP-4 -

长度 - 38.2 mm -

宽度 - 25.5 mm -

高度 - 9.1 mm -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -