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MAP6KE9.1CAE3、MAP6KE9.1CA、MAP6KE9.1CATR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MAP6KE9.1CAE3 MAP6KE9.1CA MAP6KE9.1CATR

描述 7.78V 600W7.78V 600W7.78V 600W

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 T-18 T-18 -

最大反向电压(Vrrm) 7.78V 7.78V 7.78V

脉冲峰值功率 600 W 600 W 600 W

最小反向击穿电压 8.65 V 8.65 V -

封装 T-18 T-18 -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Lead Free Contains Lead -