FDG6321C、FDG8842CZ对比区别

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型号 FDG6321C FDG8842CZ

描述 FDG6321C 系列 25 V 0.45 Ohm 双 N和P沟道 数字 FET SC70-6ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET FDG8842CZ, 410 mA，750 mA, Vds=25 V，30 V, 6引脚

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 SC-70-6 SC-70-6

针脚数 - 6

漏源极电阻 0.45 Ω 0.25 Ω

耗散功率 300 mW 380 mW

阈值电压 800 mV 1 V

漏源极电压(Vds) 25 V 30V, 25V

输入电容(Ciss) 50pF @10V(Vds) 120pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 300 mW 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 360 mW

额定电流 500 mA -

极性 N-Channel, P-Channel -

输入电容 62.0 pF -

栅电荷 1.10 nC -

漏源击穿电压 25.0 V -

栅源击穿电压 ±8.00 V -

连续漏极电流(Ids) 410 mA -

上升时间 8.00 ns -

长度 2 mm 2 mm

宽度 1.25 mm 1.25 mm

高度 1.1 mm 1 mm

封装 SC-70-6 SC-70-6

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 EAR99 -