MRF6VP41KHR5、MRF6VP41KHR6对比区别

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型号 MRF6VP41KHR5 MRF6VP41KHR6

描述 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 10-500MHz, 1000W, 50VLateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 10-500MHz, 1000W, 50V

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管晶体管

引脚数 5 4

封装 NI-1230 NI-1230

频率 450 MHz 450 MHz

额定电流 5 mA -

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free

输出功率 1000 W 1000 W

增益 20 dB 20 dB

测试电流 150 mA 150 mA

输入电容(Ciss) 506pF @50V(Vds) -

工作温度(Max) 225 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -

额定电压 110 V 110 V

漏源极电压(Vds) - 110 V

连续漏极电流(Ids) - 5.00 mA

封装 NI-1230 NI-1230

工作温度 -65℃ ~ 225℃ -

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 -