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BUK9510-55A、BUK9510-55A,127、934056851127对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK9510-55A BUK9510-55A,127 934056851127

描述 的TrenchMOS逻辑电平FET TrenchMOS logic level FETTO-220AB N-CH 55V 75APower Field-Effect Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 200 W 200 W -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V -

连续漏极电流(Ids) 75A 75A -

输入电容(Ciss) - 4307pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 200 W -

耗散功率(Max) - 200W (Tc) -

额定电压(DC) 55.0 V - -

额定电流 100 A - -

通道数 1 - -

漏源极电阻 9 mΩ - -

漏源击穿电压 55 V - -

上升时间 155 ns - -

下降时间 139 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) 55 ℃ - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

长度 10.3 mm - -

宽度 4.5 mm - -

高度 9.4 mm - -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Rail Rail, Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -