BLM18TG102TN1D、ILBB0603ER102V、BLM18TG102TN1对比区别

高亮显示差异参数

型号 BLM18TG102TN1D ILBB0603ER102V BLM18TG102TN1

描述 MURATA  BLM18TG102TN1D  铁氧体磁珠,1KOHMVISHAY  ILBB0603ER102V  多层铁氧磁珠芯片EMIFIL电感类型 Chip EMIFIL Inductor Type

数据手册 ---

制造商 muRata (村田) Vishay Semiconductor (威世) muRata (村田)

分类 铁氧体铁氧体

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 2 2 -

封装(公制) 1608 1608 -

封装 0603 0603 -

额定电流 100 mA 100 mA -

电路数 1 - -

电阻 600 mΩ - -

阻抗 1.00 kΩ - -

测试频率 100 MHz 100 MHz -

电阻(DC） 600 mΩ - -

额定电流(Max) 100 mA 100 mA -

额定电流(DC) 100 mA 100 mA -

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

电阻(DC Max) 0.6 Ω 0.6 Ω -

电感 - 1.00 mH -

长度 1.6 mm 1.6 mm -

宽度 0.8 mm 0.8 mm -

高度 0.7 mm 0.95 mm -

封装(公制) 1608 1608 -

封装 0603 0603 -

材质 Ferrite - -

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -

产品生命周期 Active - Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

最小包装 10000 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -