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IPP041N04NG、IPP041N04NGXKSA1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPP041N04NG IPP041N04NGXKSA1

描述 的OptiMOS ™ 3功率三极管 OptiMOS?3 Power-TransistorInfineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP041N04NGXKSA1, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

安装方式 - Through Hole

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 94.0 W 94 W

额定功率 - 94 W

漏源极电阻 - 0.0033 Ω

阈值电压 - 2 V

漏源极电压(Vds) - 40 V

连续漏极电流(Ids) - 80A

上升时间 - 3.8 ns

输入电容(Ciss) - 3400pF @20V(Vds)

下降时间 - 4.8 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 94W (Tc)

封装 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.36 mm

宽度 - 4.572 mm

高度 - 15.95 mm

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)