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TISP61511DR、TISP61521DR、TISP61511DR-S对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TISP61511DR TISP61521DR TISP61511DR-S

描述 双正向导电的P- GATE闸流体可编程过电压保护 DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTORS双正向导电的P- GATE闸流体可编程过电压保护 DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTORS双正向导电的P- GATE闸流体可编程过电压保护 DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTORS

数据手册 ---

制造商 Bourns J.W. Miller (伯恩斯) Bourns J.W. Miller (伯恩斯) Bourns J.W. Miller (伯恩斯)

分类 晶闸管晶闸管晶闸管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SO SO-8 SOIC-8

引脚数 - - 8

额定电流 - 150 mA -

保持电流(Max) - 150 mA 150mA (Min)

工作温度(Max) - 150 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - 40 ℃ -40 ℃

保持电流 150 mA - 150 mA

长度 - 5 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.55 mm -

封装 SO SO-8 SOIC-8

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free