IRFW530A、PHB18NQ10T、FQB19N10对比区别

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型号 IRFW530A PHB18NQ10T FQB19N10

描述 先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFETN沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类

封装 D2PAK TO-263 D2PAK

封装 D2PAK TO-263 D2PAK

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

极性 - - N-CH

漏源极电压(Vds) - - 100 V

连续漏极电流(Ids) - - 19A