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7200L15SOGI、IDT7200L25SOI、IDT7200L15SOI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 7200L15SOGI IDT7200L25SOI IDT7200L15SOI

描述 先进先出 256 X 9 CMOS PARALLEL FIFIC MEM FIFO 256X9 25NS 28-SOICIC MEM FIFO 256X9 15NS 28-SOIC

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 FIFOFIFOFIFO

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 28 - -

封装 SOIC-28 SOIC-28 SOIC-28

电路数 1 - -

存取时间 15 ns 25 ns 15 ns

工作温度(Max) 85 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

长度 17.9 mm - -

宽度 8.4 mm - -

高度 2.62 mm - -

封装 SOIC-28 SOIC-28 SOIC-28

厚度 2.62 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 - EAR99 EAR99