IS42VM16400K-75BLI、IS42VM16400M-75BLI对比区别

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型号 IS42VM16400K-75BLI IS42VM16400M-75BLI

描述 Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8MM, LEAD FREE, TFBGA-54动态随机存取存储器 64M, 1.8V, M-S动态随机存取存储器 4Mx16, 133Mhz, RoHS

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 54 54

封装 BGA-54 TFBGA-54

供电电流 55 mA 55 mA

位数 - 16

存取时间 6 ns 6 ns

存取时间(Max) - 7.5 ns

工作温度(Max) - 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V

电源电压(Max) 1.95 V -

电源电压(Min) 1.7 V -

封装 BGA-54 TFBGA-54

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 - EAR99