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VBT2060C-E3/8W、VBT2060C-E3/4W对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VBT2060C-E3/8W VBT2060C-E3/4W

描述 双高压Trench MOS势垒肖特基整流器 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier双高压Trench MOS势垒肖特基整流器 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管阵列二极管阵列

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3

正向电压 650mV @10A 650mV @10A

封装 TO-263-3 TO-263-3

产品生命周期 Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅