1N758D-1E3、JAN1N758D-1、JANHCA1N758D对比区别

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型号 1N758D-1E3 JAN1N758D-1 JANHCA1N758D

描述 DO-35 10V 0.5W(1/2W)SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESDO-35 10V 0.5W(1/2W)

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-35 DO-35

耗散功率 500 mW - 500 mW

稳压值 10 V 10 V 10 V

容差 - ±1 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

封装 DO-35 DO-35 DO-35

产品生命周期 Active Active Active

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 - -