锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IXTP3N50P、IXTY3N50P、IXTA3N50P对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTP3N50P IXTY3N50P IXTA3N50P

描述 Trans MOSFET N-CH 500V 3.6A 3Pin(3+Tab) TO-220Trans MOSFET N-CH 500V 3.6A 3Pin(2+Tab) TO-252AATrans MOSFET N-CH 500V 3.6A 3Pin(2+Tab) TO-263

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-263-3

额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V

额定电流 3.00 A 3.00 A 3.00 A

通道数 - 1 1

漏源极电阻 - 2 Ω 2 Ω

耗散功率 70W (Tc) 70 W 70 W

阈值电压 5.5 V 5.5 V 5.5 V

输入电容 409 pF 409 pF 409 pF

栅电荷 9.30 nC 9.30 nC 9.30 nC

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 - 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 3.00 A 3.60 A 3.60 A

上升时间 15 ns 15 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 409pF @25V(Vds) 409pF @25V(Vds) 409pF @25V(Vds)

下降时间 12 ns 12 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 70W (Tc) 70W (Tc) 70W (Tc)

额定功率(Max) - - 70 W

长度 - 6.22 mm 9.65 mm

宽度 - 6.73 mm 10.41 mm

高度 - 2.38 mm 4.83 mm

封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Last Time Buy Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free