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BUK7606-75B、BUK7606-75B,118对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK7606-75B BUK7606-75B,118

描述 的TrenchMOS标准水平FET TrenchMOS standard level FETTrans MOSFET N-CH 75V 159A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管

基础参数对比

封装 D2PAK TO-263-3

安装方式 - Surface Mount

极性 N-CH -

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 159A -

耗散功率 - 300 W

上升时间 - 56 ns

输入电容(Ciss) - 7446pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 300 W

下降时间 - 48 ns

耗散功率(Max) - 300W (Tc)

封装 D2PAK TO-263-3

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)