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1N4100-BP、JANTXV1N4100C-1、1N4100对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N4100-BP JANTXV1N4100C-1 1N4100

描述 DO-35 7.5V 0.5W(1/2W)Diode Zener 7.5V 0.5W(1/2W) Do35Diode Zener Single 7.5V 5% 0.25W(1/4W) 2Pin DO-35

数据手册 ---

制造商 Micro Commercial Components (美微科) Microsemi (美高森美) Central Semiconductor

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

耗散功率 500 mW - 250 mW

稳压值 7.5 V 7.5 V -

容差 - ±2 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - - Box

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -