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DU1215S、MRF166C、BLF245,112对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DU1215S MRF166C BLF245,112

描述 射频MOSFET功率晶体管, ISW , 12V 2 - 175兆赫 RF MOSFET Power Transistor, ISW, 12V 2 - 175 MHzMOSFET宽带射频功率FET MOSFET BROADBAND RF POWER FETsTrans RF MOSFET N-CH 65V 6A 4Pin SOT-123A Bulk

数据手册 ---

制造商 M/A-Com M/A-Com NXP (恩智浦)

分类 MOS管晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Screw Flange Screw

引脚数 - 6 4

封装 - 319-07 SOT-123

频率 - 30MHz ~ 500MHz 175 MHz

额定电流 - - 6 A

耗散功率 - 70 W 68000 mW

阈值电压 - - 4.5 V

漏源极电压(Vds) - - 65 V

输出功率 - 20 W 30 W

增益 - 13.5 dB 15.5 dB

测试电流 - 25 mA 50 mA

输入电容(Ciss) - 28pF @28V(Vds) 125pF @28V(Vds)

工作温度(Max) - 150 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 70000 mW 68000 mW

漏源击穿电压 - 65.0V (min) -

额定电压 - 65 V -

高度 - - 7.47 mm

封装 - 319-07 SOT-123

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Bulk Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -