M58WR064KU70ZA6E、S29VS064RABBHW000、S29VS064RABBHW010对比区别

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型号 M58WR064KU70ZA6E S29VS064RABBHW000 S29VS064RABBHW010

描述 NOR Flash Parallel 1.8V 64Mbit 4M x 16Bit 70ns 44Pin VF-BGA TrayIC FLASH MEM 64Mbit 44VTBGANOR Flash Parallel 1.8V 64Mbit 4M x 16Bit 80ns 44Pin FBGA Tray

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Spansion (飞索半导体) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片存储芯片Flash芯片

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 44 - 44

封装 VFBGA-88 VFBGA FBGA-44

供电电流 - - 44 mA

位数 16 - 16

存取时间(Max) 70 ns - 80 ns

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -25 ℃

电源电压 1.7V ~ 2V - 1.7V ~ 1.95V

电源电压(Max) - - 1.95 V

电源电压(Min) - - 1.7 V

封装 VFBGA-88 VFBGA FBGA-44

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) - -25℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 - 无铅

ECCN代码 - - 3A991.b.1.a