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K9F1208U0B-PIB0、NAND512W3A2DN6E、K9F1208U0B-PIB0T对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 K9F1208U0B-PIB0 NAND512W3A2DN6E K9F1208U0B-PIB0T

描述 Flash, 64MX8, 30ns, PDSO48NAND Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8 12us 48Pin TSOP TrayFlash, 64MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP1-48

数据手册 ---

制造商 Samsung (三星) Micron (镁光) Samsung (三星)

分类 存储芯片

基础参数对比

封装 TSSOP TFSOP-48 TSSOP

电源电压 - 2.7V ~ 3.6V -

封装 TSSOP TFSOP-48 TSSOP

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 -