DS1230Y-200IND+、DS1230Y-120IND+、DS1230AB-200+对比区别

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型号 DS1230Y-200IND+ DS1230Y-120IND+ DS1230AB-200+

描述 MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1230Y-200IND+  芯片, 存储器, NVRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1230Y-120IND+  芯片, 存储器, NVRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1230AB-200+  芯片, 存储器, NVRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 28 28 28

封装 EDIP-28 DIP-28 DIP-28

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.25 V (max)

针脚数 28 28 28

时钟频率 200 GHz 120 GHz 200 GHz

存取时间 200 ns 120 ns 200 ns

内存容量 32000 B 32000 B 32000 B

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.25 V

电源电压(Min) 4.5 V 4.5 V 4.75 V

长度 - 39.12 mm 39.12 mm

宽度 - 18.8 mm 18.8 mm

高度 - 9.4 mm 9.4 mm

封装 EDIP-28 DIP-28 DIP-28

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free