FR21、IXFR24N100Q3、APT10050JLC对比区别

高亮显示差异参数

型号 FR21 IXFR24N100Q3 APT10050JLC

描述 Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1000V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOPLUS247, 3 PINN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备POWER MOS VI 1000V 19A 0.5Ω

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Advanced Power Technology

分类 MOS管

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 - TO-247-3 -

极性 - N-CH -

耗散功率 - 500W (Tc) -

漏源极电压(Vds) - 1000 V -

连续漏极电流(Ids) - 18A -

上升时间 - 24 ns -

输入电容(Ciss) - 7200pF @25V(Vds) -

下降时间 - 14 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 500W (Tc) -

长度 - 16.13 mm -

宽度 - 5.21 mm -

高度 - 21.34 mm -

封装 - TO-247-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Not Recommended Active Obsolete

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -