STB13NK60Z、STB13NK60ZT4对比区别

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型号 STB13NK60Z STB13NK60ZT4

描述 N沟道600V - 0.48ohm -13A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247齐纳保护SuperMESH⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V-0.48ohm-13A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFETSTB13NK 系列 N 沟道 600 Vds 13 A 550 mOhm 150 W 二极管保护 Mosfet - D2Pak

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

封装 D2PAK TO-263-3

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 3

极性 N-CH N-Channel

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 13A 4.50 A

额定电压(DC) - 600 V

额定电流 - 13.0 A

通道数 - 1

漏源极电阻 - 550 mΩ

耗散功率 - 150 W

漏源击穿电压 - 600 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V

上升时间 - 14 ns

输入电容(Ciss) - 2030pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 150 W

下降时间 - 12 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 150W (Tc)

封装 D2PAK TO-263-3

长度 - 10.4 mm

宽度 - 9.35 mm

高度 - 4.6 mm

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)