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2N1482、JAN2N1482、2N1482LEADFREE对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N1482 JAN2N1482 2N1482LEADFREE

描述 Trans GP BJT NPN 55V 1.5A 3Pin TO-39 BoxTO-5 NPN 55V 1.5ATO-39 NPN 55V 1.5A

数据手册 ---

制造商 Central Semiconductor Microsemi (美高森美) Central Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 -

封装 TO-39 TO-5 TO-39

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 5.00 W 1 W -

击穿电压(集电极-发射极) - 55 V 55 V

集电极最大允许电流 - 1.5A 1.5A

最小电流放大倍数(hFE) 35 35 @200mA, 4V -

额定功率(Max) - 1 W -

工作温度(Max) - 200 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 1000 mW -

集电极击穿电压 100 V - -

最大电流放大倍数(hFE) 100 - -

封装 TO-39 TO-5 TO-39

材质 - Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bag -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - -