FQS4903、FQS4903TF对比区别

高亮显示差异参数

型号 FQS4903 FQS4903TF

描述 Power Field-Effect TransistorFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQS4903TF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 370 mA, 500 V, 6.2 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 8

封装 - SOIC-8

额定电压(DC) - 500 V

额定电流 - 370 mA

通道数 - 2

针脚数 - 8

漏源极电阻 - 6.2 Ω

极性 - N-Channel

耗散功率 - 2 W

阈值电压 - 4 V

漏源极电压(Vds) - 500 V

漏源击穿电压 - 500 V

栅源击穿电压 - ±25.0 V

连续漏极电流(Ids) - 370 mA

上升时间 - 20 ns

输入电容(Ciss) - 200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 2 W

下降时间 - 45 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 2 W

宽度 - 3.9 mm

封装 - SOIC-8

工作温度 - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99