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PSMN7R0-30YL,115、PH7030L,115、HAT2165H-EL-E对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PSMN7R0-30YL,115 PH7030L,115 HAT2165H-EL-E

描述 Single N-Channel 30V 12.2mOhm 10NC 51W Silicon SMT Mosfet - LFPAK-4Trans MOSFET N-CH 30V 68A 5Pin(4+Tab) LFPAK T/R硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 - 5

封装 SOT-669 Power-SO8 SOT-669

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 51 W 62.5W (Tc) 30 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 76.0 A 68.0 A 55A

上升时间 39 ns - 65 ns

输入电容(Ciss) 1270pF @12V(Vds) 1362pF @10V(Vds) 5180pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 51 W 62.5 W 30 W

下降时间 11 ns - 9.5 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 51W (Tc) 62.5W (Tc) 30W (Tc)

漏源极电阻 0.00492 Ω - -

阈值电压 1.7 V - -

封装 SOT-669 Power-SO8 SOT-669

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 - - EAR99