BSM200GAL120DN2、GP200MLS12、FD150R12RT4对比区别

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型号 BSM200GAL120DN2 GP200MLS12 FD150R12RT4

描述 IGBT功率模块（单联开关与断路器二极管封装用绝缘金属基板） IGBT Power Module (Single switch with chopper diode Package with insulated metal base plate)IGBT Chopper Module Preliminary InformationINFINEON  FD150R12RT4  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 150 A, 1.75 V, 790 W, 1.2 kV

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Dynex Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管

封装 HB 200GAL - -

安装方式 - - Screw

引脚数 - - 5

耗散功率 1.4 kW - 790 W

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

额定功率 - - 790 W

针脚数 - - 5

极性 - - N-Channel

击穿电压(集电极-发射极) - - 1200 V

输入电容(Cies) - - 9.3nF @25V

额定功率(Max) - - 790 W

长度 106.4 mm - -

宽度 61.4 mm - -

高度 30.9 mm - -

封装 HB 200GAL - -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - 无铅

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 - - -40℃ ~ 150℃