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RN1907FE,LF(CT、RN4983FE,LF(CT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RN1907FE,LF(CT RN4983FE,LF(CT

描述 双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistorSilicon NPN-PNP Epitaxial Type

数据手册 --

制造商 Toshiba (东芝) Toshiba (东芝)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 SOT-563 SOT-563

耗散功率 100 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

最小电流放大倍数(hFE) 80 @10mA, 5V 70 @10mA, 5V

额定功率(Max) 100 mW 100 mW

封装 SOT-563 SOT-563

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free