1N5537BTR、JANTX1N5537B-1、JANTXV1N5537B-1对比区别

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型号 1N5537BTR JANTX1N5537B-1 JANTXV1N5537B-1

描述 DO-35 17V 0.5W(1/2W)无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW17V 0.5W(1/2W)

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) M/A-Com

分类 齐纳二极管

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 DO-35 DO-35 -

引脚数 - 2 -

耗散功率 500 mW 500 mW 500 mW

稳压值 17 V 17 V 17 V

容差 - ±5 % -

正向电压 - 1.1 V -

测试电流 - 1 mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

封装 DO-35 DO-35 -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 - Bag -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

RoHS标准 - Non-Compliant -

含铅标准 - -